Китайская газета «Правда» — Синьхуа (Xinhua) — опубликовала победный доклад о разработке в Китае национального MOSFET-транзистора с длиной затвора, равной 22 нм. Для страны, чей технологический потенциал едва начал раскрываться — это более чем

( Читать дальше )

Снижение масштаба техпроцесса увеличивает плотность транзисторов и уменьшает площадь кристаллов, что ведёт к увеличению выхода микросхем и снижению их себестоимости. На этапе ввода новинок в строй покупателям это практически незаметно. Однако цены

( Читать дальше )